Hellma氟化鈣大尺寸毛坯440mm口徑

　　德國HellmaMaterials氟化鈣（CaF?）單晶光學晶體，源自德國耶拿百年光學工藝，承襲原肖特光刻級晶體核心技術，是全球半導體深紫外光刻、高功率準分子激光、紅外光譜、空間天文光學領域光學基材。

　　產品覆蓋Lithotec®LD-A/LD-B/LD-C全系列光刻級氟化鈣單晶，支持圓形窗口片、矩形棱鏡、大尺寸晶體毛坯、定制異形元件加工，晶體原生純度≥99.999%，金屬雜質總量＜1ppm，可適配SUSS光刻機、ASML浸潤式光刻設備、準分子激光加工設備配套光路組件。

　　LD-A（Lithotec-DUVGradeA）是Hellma原廠頂級193nmArF深紫外光刻專用氟化鈣單晶品級，承襲原肖特SchottLithotec光刻晶體技術，德國耶拿全流程自主生產，為7–45nm先進制程DUV光刻機定型特級基材，是ASML、SUSSMicroTec、蔡司光刻設備指定光學材料。

　　定位：半導體浸潤式/干式193nm光刻物鏡、高重頻準分子激光最高等級單晶；

　　晶向標準：出廠默認優選<111>晶向（光刻行業黃金取向），可定制<100>；

　　純度：6N超高純合成CaF?，金屬雜質、氫氧根雜質控制至ppb級別，杜絕深紫外吸收色心缺陷。

　　LD-A/LD-B/LD-C三等級區分（采購選型對照）

　　LD-A（本次主推款）

　　適配：7–45nmArFi浸潤式光刻機、SUSSMA300量產光刻設備、高能量高頻準分子激光；

　　LD-B

　　適配：248nmKrF光刻、PCB激光鉆孔、常規紫外工業激光；

　　指標：雙折射≤2nm/cm，透過率≥99%/cm，滿足中精度紫外光路。

　　LD-C

　　適配：真空紫外光譜儀、紅外檢測、實驗室小試光刻機（SUSSMA8）；

　　指標：基礎深紫外透光，性價比高，無超高激光耐久要求場景。

　　LD-A產品核心優勢

　　193nm深紫外透光，極低能量損耗

　　針對193nm光刻波段專項提純優化，內部透過率≥99.3%/cm，無固有吸收峰與雜散光，大幅降低激光光路能量損耗，提升光刻機單位時間晶圓產出效率。

　　納米級光學均勻性，杜絕成像畸變

　　折射率均勻性Δn≤1×10??/cm，應力雙折射≤0.5nm/cm，消除光刻偏振像差、波前畸變，保障晶圓曝光線寬一致性，降低芯片圖形不良報廢率。

　　超高激光耐久，超長使用壽命

　　193nm激光損傷閾值≥10J/cm2，可承受千萬次高頻ArF激光持續輻照，長期量產無發黑、色心、透光衰減問題，對比LD-B/國產氟化鈣，設備光學窗口更換周期提升3–6倍，減少產線停機維護成本。

　　優異熱學穩定，適配連續量產工況

　　熱導率達9.71W/(m?K)，高功率激光照射下快速散熱，無局部熱膨脹偏移；經超長時間梯度退火，內部應力釋放，24小時不間斷產線工況性能長期穩定。

　　超寬光譜兼容，一材多用

　　透光范圍覆蓋130nm真空紫外至8μm中紅外，同時適配深紫外光刻、紅外檢測、可見光校準多波段光路，減少整機光學元件種類，降低整機物料成本。

　　核心性能優勢

　　超寬光譜高透射（130nm深紫外～9μm中紅外）

　　193nm光刻關鍵波長內部透過率≥99.3%/cm，248nm、355nm紫外、1-6μm紅外波段透過率穩定≥95%，無固有吸收峰，單種材料可覆蓋UV/VIS/IR多波段光路，減少光學元件數量，降低整機光路損耗。

　　超低色散+低應力雙折射，杜絕光束畸變

　　折射率nd=1.43384，阿貝數高達95.23，色差抑制能力為普通光學玻璃5倍；經過精密退火工藝，應力雙折射≤0.5nm/cm，波前畸變量極低，滿足7nm-45nm先進半導體光刻納米級曝光精度要求。

　　超高激光耐久，適配高功率準分子激光

　　針對193/248nmArF/KrF激光專項優化，激光損傷閾值遠高于國產氟化鈣，長期大功率激光輻照無發黑、散射加劇問題，大幅延長光刻機、激光加工設備光學窗口使用壽命。

　　穩定理化耐受，適配嚴苛工況

　　耐600℃高溫（真空環境可達800℃），耐強酸腐蝕、抗宇宙高能粒子輻照；硬度高、抗熱沖擊，可用于真空腔體、航天星載多光譜相機、工業高溫激光產線。

　　大尺寸定制能力

　　單晶成品最大直徑250mm，多晶毛坯可達440mm，厚度10-150mm按需加工；支持<111>/<100>任意晶體定向，表面研磨/拋光等級按需定制。

Hellma氟化鈣大尺寸毛坯440mm口徑